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标题: 盐酸+双氧水腐蚀电路板化学原理 [打印本页]

作者: snowkeeping 时间: 2005-6-1 16:22
标题: 盐酸+双氧水腐蚀电路板化学原理
浓盐酸在标准环境下是不与铜反应的，因为铜排在氢后面，所以不能置换出盐酸中的氢，但是在用氧气的条件下可以和盐酸反应，这就是为什么要加双氧水的原因了。
反映方程式如下：
2Cu+4HCl+O2==2CuCl2+2H2O
另外浓盐酸在加热的条件下也可以和铜反应，因为Cl- and Cu+形成了较稳定的[CuCl4]3-
Cu+8HCl(浓)===2H3[CuCl4]+H2↑

作者: haluo 时间: 2005-6-1 16:27
标题: 盐酸+双氧水腐蚀电路板化学原理
呵呵，还能想起一点点来....高中学的化学都还给老师了...

作者: 防洪主任 时间: 2005-6-1 21:10
标题: 盐酸+双氧水腐蚀电路板化学原理
实践证明，可行吗？

作者: stk3048 时间: 2005-6-1 22:32
标题: 盐酸+双氧水腐蚀电路板化学原理

下面引用由snowkeeping在 2005/06/01 04:22pm 发表的内容：
浓盐酸在标准环境下是不与铜反应的，因为铜排在氢后面，所以不能置换出盐酸中的氢，但是在用氧气的条件下可以和盐酸反应，这就是为什么要加双氧水的原因了。
反映方程式如下：
2Cu+4HCl+O2==2CuCl2+2H2O
另外浓　...

我以前一直认为是双氧水把铜氧化了变成氧化铜,然后氧化铜再跟盐酸反应生成氯化铜.这种方法是以前中学时在一本叫少年科学画报的杂志上看到的,在介绍其原理时就是我上面的说法.

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